ASML
于嘉言/荷蘭維荷芬(Veldhoven)採訪報導
晶圓生產流程中,最重要且關鍵的製程技術,莫過於微影(Lithography)。微影設備機台動輒上千萬,絕對是晶圓製造設備金額花費的前幾名。而微影技術發展從各大廠放棄157奈米乾式微影,轉由採用現今主流的浸潤式微影。儘管如此,浸潤式微影技術還是有其物理極限,因此微影設備供應商皆紛紛投資研發次世代微影技術。ASML認為,極紫外光技術(Extreme Ultraviolet , EUV)是目前唯一能在32奈米以下微影製程達成高產量的技術與機會,而其運用二次圖樣(double pattern)技術的方式,更可以在波長13.5奈米、數值孔徑0.25下,達到k1係數0.59。極紫外光技術未來更可能將波長縮短至僅10奈米,而極紫外光技術應該會在2010年後正式步入量產階段。
ASML市場暨技術行政副總裁Martin van den Brink表示,ASML所提供的TWINSCAN系統為目前市場上佔有率極高的設備。截至目前為止,TWINSCAN已經出貨超過720台以上,僅僅亞洲就有500台以上的成績,市佔率超過60%。而浸潤式微影機台目前總出貨則超過50台以上。
Brink表示,ASML提供各種不同波長、數值孔徑(NA)的KrF、ArF等解決方案,以提供客戶不同世代製程使用。未來,針對次世代奈米製程,ASML將提供極紫外光微影技術,該技術波長僅13.5奈米,在數值孔徑為0.45的狀況下,到2015年k1係數可達0.37。Brink表示,現今超高數值孔徑的浸潤式微影技術,半間距為45奈米,k1係數仍大於0.31,但其解析度(resolution)可到40奈米。
目前分類:研究 (3)
- Jan 07 Thu 2010 19:57
ASML
- Dec 20 Sun 2009 15:43
INSIGHT。2009智慧生活科技饗宴
我們家的電子鼻上報了!!! 哈哈哈哈
照片是我們實驗室博士後苔瑄姐姐
http://mag.udn.com/mag/campus/storypage.jsp?f_ART_ID=227313
還有滿面春風的老師~
還有當天參加的SAW團隊照片 http://picasaweb.google.com.tw/Haudaidai/SJYujI#5416599420493142770
嘿嘿嘿嘿嘿嘿 老師 快讓我畢業~~好嗎?